Обратная связь
ФИО (по желанию)
Контакт для обратной связи (по желанию)
Формат учатия
Оцените ваше впечатление о школе по шкале от 1 (совсем не понравилось) до 10 (очень понравилось):
Общее впечатление о школе
0
10
Разнообразие тем лекций
0
10
Качество самих лекций
0
10
Качество постерной сессии
0
10
Качество семинаров
0
10
Качество размещения (проживание в комнатах)
0
10
Качество конференционного зала
0
10
Кофебрейки
0
10
Культурная программа (экскурсии)
0
10
Временное расположение программы
0
10
Онлайн-трансляция (для онлайн-участников)
0
10
Призы и раздаточные материалы
0
10
Напишите, что вам больше всего НЕ понравилось на школе
Напишите, что вам больше всего понравилось на школе
В этом поле вы можете написать ваши общие впечатления, советы и все то, что вы хотели бы сообщить организаторам.
Спасибо за вашу обратную связь!
Спасибо за вашу обратную связь!
2-я международная школа

Сверхпроводниковые технологии для обработки квантовой информации
Superconducting Quantum Hardware
О школе
Школа предназначена для молодых ученых и начинающих исследователей в области физики, инженерии, квантовых технологий, в том числе аспирантов, студентов магистратуры и старших курсов бакалавриата.

Программа школы включает 12 лекций ведущих российских и зарубежных ученых в области гибридных наноструктур, стендовую сессию и семинары по основным направлениям SQH-2022.

Школа SQH-2022 представит молодым исследователям прекрасную возможность ознакомиться с активно развивающейся областью современной физики и передовыми технологиями.

Даты проведения
22 - 27 августа 2022 г.
Условия участия
Бесплатно
Формат участия
Смешанный (очный/онлайн)
Рабочий язык
Русский/Английский
Место проведения
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН
Основные направления
Основы физики сверхпроводниковых гибридных структур
Сверхпроводниковая спинтроника
Сверхпроводниковая цифровая электроника
Физика сверхпроводниковых и магнитных устройств
Топологические квантовые вычисления
Видео-архив SQH-2022
Церемония открытия второй международной школы "Сверхпроводниковые технологии для обработки квантовой информации"
Александр Авраамович Голубов доктор физ.-мат. наук, профессор Университета Твенте, Нидерланды
«Структура магнитного потока в магнитных сверхпроводниках»
Лев Яковлевич Винников, доктор физ.-мат. наук, профессор, ведущий научный сотрудник лаборатории сверхпроводимости ИФТТ РАН
«Физические принципы эффектов близости в сверхпроводящих гибридных структурах»
Александр Авраамович Голубов доктор физ.-мат. наук, профессор Университета Твенте, Нидерланды
«Сверхпроводящий спиновый клапан»
Андрей Андреевич Камашев, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник лаборатории проблем сверхпроводимости и спинтроники Казанского физико-технического института им. Е.К. Завойского РАН
«Гигантский термоэлектрический и термоспиновый эффект в сверхпроводящих гетероструктурах»
Александр Михайлович Бобков, кандидат физ.-мат наук, cтарший научный сотрудник, лаборатория электронной кинетики, ИФТТ РАН
«Необычные сверхпроводники в современном мире»
Максим Михайлович Коршунов,
доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент РАН по Отделению физических наук РАН, ведущий научный сотрудник Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
«Сверхпроводимость в низкоразмерных системах»
Андрей Дмитриевич Заикин, доктор физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник Лаборатории теории сверхпроводимости и статистической физики сложных систем, Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН
«Электронный транспорт в мостиках переменной толщины»
Сергей Викторович Бакурский, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, Лаборатория физики наноструктур, Отдел микроэлектроники, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В. Ломоносова
«АСМ литография на двумерных и многослойных материалах»
Вячеслав Всеволодович Дремов, Лаборатория топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ
«Гибридные структуры на основе сверхпроводников, ферромагнетиков и нормальных металлов. Их применение в сверхпроводниковой электронике и спинтронике»
Валерий Владимирович Рязанов, доктор физ.-мат. наук, профессор, заведующий лабораторией сверхпроводимости ИФТТ РАН
«Эффект близости и индуцированные сверхпроводящие состояния в низкоразмерных полупроводниковых структурах»
Александр Сергеевич Мельников, доктор физ.-мат. наук, заведующий отделом физики сверхпроводников, Институт физики микроструктур РАН
«Магнитоэлектрические эффекты в сверхпроводящих гетероструктурах и их роль в низкодиссипативной спинтронике»
Ирина Вячеславовна Бобкова, кандидат физ.-мат наук, cтарший научный сотрудник, лаборатория электронной кинетики, ИФТТ РАН
Круглый стол №1 Технологии компактных сверхпроводящих метаматериалов
Юлия Зотова, Научный сотрудник Сколтеха и МФТИ, инженер МИСиС
Круглый стол №2 Сверхпроводящая спинтроника.
Александр Авраамович Голубов доктор физ.-мат. наук, профессор Университета Твенте, Нидерланды
Церемония закрытия и награждения
«Физические принципы эффектов близости в сверхпроводящих гибридных структурах»
Александр Авраамович Голубов доктор физ.-мат. наук, профессор Университета Твенте, Нидерланды
«Quo Vadis? - Этика научного поиска: искусственные нейронные сети»
Анатолий Сергеевич Сидоренко, доктор физ.-мат. наук, профессор Технического университета Молдовы, академик АН РМ
«Гибридные структуры на основе сверхпроводников, ферромагнетиков и нормальных металлов. Их применение в сверхпроводниковой электронике и спинтронике»
Валерий Владимирович Рязанов, доктор физ.-мат. наук, профессор, заведующий лабораторией сверхпроводимости ИФТТ РАН
«Структура магнитного потока в магнитных сверхпроводниках»
Лев Яковлевич Винников, доктор физ.-мат. наук, профессор, ведущий научный сотрудник лаборатории сверхпроводимости ИФТТ РАН


«Магнитоэлектрические эффекты в сверхпроводящих гетероструктурах и их роль в низкодиссипативной спинтронике»
Ирина Вячеславовна Бобкова, кандидат физ.-мат наук, cтарший научный сотрудник, лаборатория электронной кинетики, ИФТТ РАН
«Гигантский термоэлектрический и термоспиновый эффект в сверхпроводящих гетероструктурах»
Александр Михайлович Бобков, кандидат физ.-мат наук, cтарший научный сотрудник, лаборатория электронной кинетики, ИФТТ РАН
«Эффект близости и индуцированные сверхпроводящие состояния в низкоразмерных полупроводниковых структурах»
Александр Сергеевич Мельников, доктор физ.-мат. наук, заведующий отделом физики сверхпроводников, Институт физики микроструктур РАН
«Сверхпроводимость в низкоразмерных системах»
Андрей Дмитриевич Заикин, доктор физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник Лаборатории теории сверхпроводимости и статистической физики сложных систем, Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН

«АСМ литография на двумерных и многослойных материалах»
Вячеслав Всеволодович Дремов, Лаборатория топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ
«Сверхпроводящий спиновый клапан»
Андрей Андреевич Камашев, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник лаборатории проблем сверхпроводимости и спинтроники Казанского физико-технического института им. Е.К. Завойского РАН

«Необычные сверхпроводники в современном мире»
Максим Михайлович Коршунов, доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент РАН по Отделению физических наук РАН, ведущий научный сотрудник Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
«Электронный транспорт в мостиках переменной толщины»
Сергей Викторович Бакурский, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, Лаборатория физики наноструктур, Отдел микроэлектроники, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В. Ломоносова
Участникам

Для ограниченного числа участников будет представлено проживание в г. Казань для очного участия в SQH-2022.

Для подачи заявки на очное участие с оплачиваемым проживанием в г. Казань необходимо зарегистрироваться на школу до 5 августа 2022 г., заполнить соответствующую форму на сайте SQH-2022 и представить аннотацию стендового доклада.

Организаторы рассмотрят поданные заявки и отберут кандидатов на предоставление бесплатного проживания в г. Казань на время проведения школы. Победители конкурса будут проинформированы по электронной почте, указанной при регистрации.

Программа школы, помимо лекций, включает стендовую сессию и семинары по основным направлениям SQH-2022. Стендовая сессия и семинары будут проведены в очном формате. Стендовая сессия позволит провести свободную дискуссию авторов работ, лекторов и организаторов школы. Лучшие постеры будут награждены памятными призами. На семинарах участники смогут разобрать задачи по материалам лекций и задать вопросы.

Для ограниченного числа участников SQH-2022 будет представлено проживание в Гостинице Европа 3* в г. Казань.

Для подачи заявки на очное участие с оплачиваемым проживанием в Гостинице Европа 3* (одно-, двух- и трехместное размещение) необходимо зарегистрироваться на SQH-2022 до 5 августа 2022 г. и направить на электронную почту sqh.school@misis.ru заполненную форму заявки на участие в конкурсе и аннотацию стендового доклада.
У участников школы будет возможность представить научные статьи, подготовленные по материалам стендовых докладов, для публикации в журнале «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники»
Журнал включен в полнотекстовую базу данных eLibrary.ru, индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ), реферативном журнале и базе данных ВИНИТИ, а также включен в перечень рецензируемых научных изданий высшей аттестационной комиссии при Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук и ученой степени доктора наук.
По решению редакции, часть статей будет переведена на английский язык и опубликована в журнале «RussianMicroelectronics»
Журнал «Russian Microelectronics» (SJR 2021: Q4) индексируется и реферируется в следующих базах данных: SCOPUS, INSPEC, Chemical Abstracts Service (CAS), Google Scholar, EBSCO, Academic OneFile, Academic Search, CSA Environmental Sciences, Current Contents Collections / Electronics & Telecommunications Collection, EI-Compendex, Gale, INIS Atomindex, OCLC, SCImago, Summon by ProQuest, Thomson Reuters (ISI).
Выборочные статьи будут опубликованы в журнале «Modern Electronic Materials» (MoEM)
Журнал «Modern Electronic Materials» индексируется и реферируется в следующих базах данных: DOAJ, Altmetric, ASOS Indeks, BASE, British Library, Cabell's Directory, CNKI, CrossRef, Dimensions, EBSCO Essentials, EBSCOhost, eLibrary, EZB, GALE Academic OneFile, GoOA, Google Scholar, iDiscover (University of Cambridge), JournalTOCs, LetPub, Library of Congress NEW, LIVIVO, MIAR, NAVER, NAVIGA, OpenAIRE, OpenCitations, ProQuest, ProQuest Central, Publons, QOAM (Quality Open Access Market), ReadCube, ROAD, Scilit, Semantic Scholar, Sherpa/Romeo, SOLO (Search Oxford Libraries Online), Transpose, Ulrichsweb™, Unpaywall, Web of Science (RSCI), WorldCat, ZDB, РИНЦ.
Статья на русском или английском языке, направляемая в редакцию, должна соответствовать тематическим разделам журнала, содержать оригинальные авторские научные результаты и быть оформлена согласно настоящим требованиям.

1. Подготовлена в MS Word с размером шрифта не меньше 12 пунктов.

2. В статье должны сжато и четко излагаться современное состояние вопроса, цель работы, описание методики исследования и обсуждение полученных данных. Рекомендуется стандартизировать структуру статьи, используя подзаголовки: Введение, Теоретический анализ, Методика, Экспериментальная часть, Результаты и их обсуждение, Заключение, Библиографический список.

3. Первая страница статьи оформляется следующим образом (на русском и английском языках):

- название статьи (должно быть лаконичным, как можно точнее отражать ее содержание);

- ФИО и место работы авторов;

- фамилия автора, ответственного за прохождение статьи в редакции и его e-mail (выделяется цветом или любым другим способом);

- аннотация (порядка 150—200 слов с изложением конкретных результатов исследования);

- ключевые слова.

4. В конце статьи необходимо привести:

- фамилия, имя, отчество авторов (полностью); место работы каждого автора в именительном падеже; должность; ученая степень, ORCID ID, адрес места работы;

- контактная информация (e-mail) для каждого автора.

5. Иллюстрации должны быть представленные в электронном виде: формат WMF, EPS или JPG; для фотографий — TIF (с разрешением не меньше 300 dpi); другие форматы по согласованию с редакцией.

6. Все рисунки и таблицы прономерованы и иметь ссылку в тексте статьи.

Более детально с требования к оформлению статей можно ознакомиться по ссылке

Организаторы
Организационный комитет
Алексей Устинов
Технологический университет Карлсруэ, Национальный исследовательский технологический университет НИТУ «МИСиС», Российский квантовый центр
Александр Голубов
Университет Твенте, Московский физико-технический институт, Национальный исследовательский технологический университет НИТУ «МИСиС»
Олег Астафьев
Королевский колледж Холлоуэй Лондонского университета, Московский физико-технический институт, Сколковский институт науки и технологий
Евгений Ильичев
Институт фотонных технологий им. Лейбница, Национальный исследовательский технологический университет НИТУ «МИСиС», Новосибирский государственный технический университет
Валерий Рязанов
Институт физики твердого тела РАН, Национальный исследовательский технологический университет НИТУ «МИСиС»
Ленар Тагиров
Академик-секретарь Отделения физики, энергетики и наук о Земле, член-корреспондент Академии наук Республики Татарстан, ведущий научный сотрудник Лаборатории нелинейной оптики ФИЦ КазНЦ РАН
телефон: +7(495) 638 46 46
e-mail: sqh.school@misis.ru